绝缘栅型场效应管电流方向

简述信息一览：

• 1、模电如何区分场效应管
• 2、绝缘栅场效应管的结构和符号
• 3、场效应管如何给电平,才能导通或者截止,P沟道,N沟道两种。
• 4、电路图中三极管怎么看?
• 5、场效应管的分类
• 6、经典图文,带你一文搞懂MOS管!!

模电如何区分场效应管

1、判断管子，关键是要理清楚符号，场效应管有6个不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS），符号，特性都不同，这部分只能靠记（多看看熟了也行）。工作状态分析比较麻烦，要计算UDS，UGS，UDG的值，然后分析，具体数值关系看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版。

2、场效应管分为结型（JET）管和绝缘栅型（MOS）管两种，符号如上，你可以想象成将字母J和字母M向左翻转90度，结型管符号好像翻转的J，MOS管右边的三个引出端好像字母M翻转后的三个点。这样就好记忆了。

3、通过输出特性曲线和转移特性曲线来区分场效应管前，首先需要了解一个概念，场效应管是压控型器件，它区别于双极型晶体管（流控型器件），场效应管工作时栅极一般只需要一个电压就可以，电流很小或者为零。所以，要实现这点，结型场效应管和MOS型***用不同的办法实现了这个效果，导致了其特性曲线不同。

4、反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。

5、首先，看符号里的箭头是朝外还是朝里，只要记住永远是正指向负，p指向n就能判断出，箭头朝外是p沟道，朝里是n沟道。

绝缘栅场效应管的结构和符号

绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管（Insulated-Gate FET，IGFET），也称为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），是另一种常见的场效应管类型。它的栅极通过一层薄氧化物与通道隔离，这一结构使得其输入阻抗极高。IGFET具有热稳定性好、开关速度快和效率高等特点，广泛应用于高性能的电子设备中。

绝缘栅场效应管是一类电子元件，种类繁多，主要包括PMOS、NMOS和VMOS功率管等。然而，在实际应用中，MOS管是最常见的选择。全称为金属一氧化物一半导体场效应管的MOS管，简称为MOS管，其名称来源于其基本构造。

可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

根据栅极结构我们又把它分成两种，一个是增强型MOS场效应管；另一个是耗尽型MOS场效应管。其原理图符号如下图所示。绝缘栅双极晶体管（IGBT）这个器件是场效应管家族中重要的成员之一，它是具有三极管的大电流密度特性，也具有绝缘栅型晶体管电压控制的特点，它把两者完美的结合起来。

场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

场效应管如何给电平,才能导通或者截止,P沟道,N沟道两种。

1、不过这样做成本增加，电路能耗效率也低，如果用作实验就无所谓了。二：将P沟道场效应管换成N沟道，源极接地，栅极接单片机控制，漏极接应用电路的地端，应用电路的红端接24V，不过这样一来电路可能就需要改动了。三：在单片机和场效应管之间再接一级放大电路，如图，不用多说，你会明白的。

2、当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。

3、Q1Q2是两个反相器，即Q1Q2必须工作在开关状态，饱和导通或截止。所以，Q1输入低电平时，Q3也是低电平输入，则Q3 P沟道场效应管会导通，那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态，应该会导通。

4、方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。方案2用N沟道场管，IRF640N可行。两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。

5、属于后者。原理：两种沟道都是利用多数载流子的定向移动来导电，N沟道的多数载流子是电子，p沟道是空穴，当沟道中有电场时，就会有大量载流子，形成通路，电场消失，沟道消失。增强型场效应管是高电平导通（高电平时形成沟道），耗尽型是低电平导通。

6、漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。当V（GS）V（T）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的V（GS）值称为该管的开启电压V（T）。

电路图中三极管怎么看?

对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。下面再介绍一下如何用万用表判定一个三极管是高频管还是低频管。

要熟悉三极管的话，书上都有讲分别处于饱和、截止、放大区的特点。大概是发射结正偏，集电结反偏的话，三极管处于放大区。如果两个都正偏的话，则处于饱和区。截止区的话就看其导不导通了。当然还得分清是PNP还是NPN.我记的话是将箭头指向的是N，其余就是P了，这样很容易判断出来的。

三颠倒，找基极 大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。

场效应管的分类

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型。场效应管，又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。

场效应管主要分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。在结型场效应管中，根据沟道材料和导电方式，分为N沟道和P沟道，且均为耗尽型。其结构有N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管，电极包括栅极、漏极和源极。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。结型场效应管（JFET）结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。 结型场效应管结构：N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。

场效应管分类 场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。JFET分为N沟道和P沟道，但在实际应用中几乎不使用。MOSFET是广泛使用的器件，又称为MOS管。MOSFET分为增强型和耗尽型，每一类下面又有NMOS和PMOS。增强型MOS管称为EMOS，耗尽型MOS管称为DMOS。

经典图文,带你一文搞懂MOS管!!

在绝缘栅型场效应管中，MOSFET，即金属一氧化物-半导体场效应晶体管，通常由金属铝与半导体间的二氧化硅绝缘层构成。了解MOSFET的各个极性极为关键。极性识别直截了当，G极易于辨识。不论是P沟道还是N沟道，两根线交汇的便是S极。单独引线的一端则是D极。箭头指向G极表示N沟道，箭头背离G极表示P沟道。

工作原理：PNP与NPN的奥秘PNP晶体管：n型半导体夹在两层p型半导体之间，控制电流流动，类似串联的二极管组合。NPN晶体管：p型半导体夹在两层n型半导体之间，放大弱信号，电子从发射极流向集电极。三极管的工作状态：截止、放大与饱和截止状态：像关闭的水龙头，电流几乎为零。

三极管，也叫晶体管，是一种利用半导体特性实现电流放大的关键元件。它由三层半导体材料构成，通过控制两对端子的电压或电流来控制另一对端子的电流流动。常见的分类依据包括结构、功率、工作频率和封装形式等。主要的三极管类型有PNP和NPN。

MOSFET：金属氧化物半导体与场效应晶体管的完美融合/ MOSFET，由金属氧化物半导体（MOS）与场效应晶体管（FET）的巧妙组合而成。通过在金属层（M-金属铝）上施加栅极电压，并隔着SiO2绝缘层控制半导体（S）内的导电沟道，这就是场效应晶体管的神奇之处。

关于绝缘栅场效应管箭头，以及绝缘栅型场效应管电流方向的相关信息分享结束，感谢你的耐心阅读，希望对你有所帮助。